MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

FQD1N50TM

MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

Série
QFET®
FET Type
N-Channel
Emballage
Bulk
Vgs (Max)
±30V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantFairchild Semiconductor
Note-
SérieQFET®
FET TypeN-Channel
EmballageBulk
Vgs (Max)±30V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceObsolete
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / CasTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 25W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseurTO-252 (DPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Tc)
Boîtier
-
MSL
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