SI9926DY

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC

Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
900mW (Ta)
Fiche technique (PDF)
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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantFairchild Semiconductor
Série-
EmballageBulk
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max900mW (Ta)
FabricantFairchild Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Numéro de produit de baseSI9926
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Boîtier
-
MSL
-

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