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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | GE Aerospace |
| Série | SiC Power |
| Emballage | Box |
| Technologie | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Puissance - Max | 1250W |
| Fabricant | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Colis / Cas | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
| Numéro de produit de base | GE12047 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29300pF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
Boîtier
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MSL
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