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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | JFETs |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Note | - |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Bulk |
| État de la pièce | Obsolete |
| Puissance - Max | 172 W |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Type de montage | Through Hole |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | TO-257-3 |
| Resistance - RDS(On) | 60 mOhms |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 210°C (TJ) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | TO-257 |
| Current Drain (Id) - Max | 32 A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
Boîtier
-
MSL
-