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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
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Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single Diodes |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| Technologie | Standard |
| État de la pièce | Active |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Colis / Cas | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Paquet de dispositif du fournisseur | DO-5 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 100 V |
| Tension - DC Inverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 125°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 40 A |
Boîtier
-
MSL
-