TRANS SJT 1200V 10A TO247ABRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

GA10JT12-247

TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

FET Type
N-Channel
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
Puissance - Max
170 W
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieJFETs
FabricantGeneSiC Semiconductor
Note-
Série-
FET TypeN-Channel
EmballageTube
État de la pièceObsolete
Puissance - Max170 W
FabricantGeneSiC Semiconductor
Type de montageThrough Hole
Qualification-
Colis / CasTO-247-3
Resistance - RDS(On)100 mOhms
Température de fonctionnement175°C
Paquet de dispositif du fournisseurTO-247-3
Current Drain (Id) - Max25 A
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)100 nA @ 1.2 kV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1403pF @ 800V
Boîtier
-
MSL
-

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