DIODE SIL CARB 1200V 10A TO252RoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

GB10SLT12-252

DIODE SIL CARB 1200V 10A TO252

Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Emballage
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
État de la pièce
Obsolete
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieSingle Diodes
FabricantGeneSiC Semiconductor
VitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Série-
EmballageTube
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky
État de la pièceObsolete
Type de montageSurface Mount
Colis / CasTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de baseGB10SLT12
Capacitance @ Vr, F520pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositif du fournisseurTO-252
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr250 µA @ 1200 V
Tension - DC Inverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io)10A
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2 V @ 10 A
Boîtier
-
MSL
-

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