Vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Emballage
Bulk
Technologie
Schottky
État de la pièce
Active
Conforme RoHS
Pourquoi nous choisir
Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide
Demande de devis
Prix non affiché ? Envoyez une demande de devis, nous répondrons immédiatement.
MOQ1 pcs
Emballage professionnel
Emballage d'origine
Scellé usine, plateau ESD antistatique
Protection déshydratant
Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus
Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Diode Arrays |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| Technologie | Schottky |
| État de la pièce | Active |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Colis / Cas | Twin Tower |
| Numéro de produit de base | MBR200200 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Tension - DC Inverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Boîtier
-
MSL
-