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Vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Emballage
Bulk
Technologie
Schottky, Reverse Polarity
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Obsolete
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single Diodes |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| Technologie | Schottky, Reverse Polarity |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Colis / Cas | D-67 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Paquet de dispositif du fournisseur | D-67 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 30 V |
| Tension - DC Inverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 200 A |
Boîtier
-
MSL
-