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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Diode Arrays |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| Technologie | Schottky |
| État de la pièce | Obsolete |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Colis / Cas | Three Tower |
| Numéro de produit de base | MBRTA600 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Three Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 45 V |
| Tension - DC Inverse (Vr) (Max) | 45 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700 mV @ 300 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
Boîtier
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MSL
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