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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Diode Arrays |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| Technologie | Standard |
| État de la pièce | Active |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Colis / Cas | Twin Tower |
| Numéro de produit de base | MUR20020 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Twin Tower |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Tension - DC Inverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Boîtier
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MSL
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