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TrenchFET®
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Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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MOSFET (Metal Oxide)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W (Tc) |
| Manufacturer | Goford Semiconductor |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Base Product Number | G05N |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1374pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
Boîtier
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MSL
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