Série
G
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Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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MOSFET (Metal Oxide)
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Protection déshydratant
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Série | G |
| Emballage | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Puissance - Max | 2.1W (Tc) |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Colis / Cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Numéro de produit de base | G200 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7A, 10V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2365pF @ 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Boîtier
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MSL
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