Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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Active
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Protection déshydratant
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Série | TrenchFET® |
| Emballage | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Puissance - Max | 1.67W (Tc) |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Colis / Cas | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Numéro de produit de base | G2K3N |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 2A, 10V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | SOT-23-6L |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 536pF @ 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
Boîtier
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MSL
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