MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFNEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

GT060N04D52

MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN

Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
20W (Tc)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantGoford Semiconductor
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max20W (Tc)
FabricantGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 30A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1276pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Boîtier
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MSL
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