MOSFET N-CH 80V 100A TDSONEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

BSC037N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

Série
OptiMOS™
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantInfineon Technologies
Note-
SérieOptiMOS™
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 72µA
Numéro de produit de baseBSC037
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 114W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseurPG-TDSON-8-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Boîtier
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MSL
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