Série
CoolSiC™
FET Type
N-Channel
Emballage
Tube
Vgs (Max)
+23V, -5V
Conforme RoHS
Pourquoi nous choisir
Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide
Demande de devis
Prix non affiché ? Envoyez une demande de devis, nous répondrons immédiatement.
MOQ1 pcs
Emballage professionnel
Emballage d'origine
Scellé usine, plateau ESD antistatique
Protection déshydratant
Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus
Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Note | - |
| Série | CoolSiC™ |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tube |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Type de montage | Through Hole |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 11mA |
| Numéro de produit de base | IMZA65 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 38.3A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 189W (Tc) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | PG-TO247-4-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2131 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
Boîtier
-
MSL
-