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HEXFET®
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N-Channel
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Tape & Reel (TR)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Note | - |
| Série | HEXFET® |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 3.7A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Micro8™ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
Boîtier
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MSL
-