MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFNRoHS / Conformité

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IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

Series
FASTIRFET™
Packaging
Tape & Reel (TR)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantInfineon Technologies
Grade-
SeriesFASTIRFET™
PackagingTape & Reel (TR)
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Part StatusObsolete
Power - Max156W
ManufacturerInfineon Technologies
Configuration2 N-Channel (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
Qualification-
Package / Case32-PowerWFQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
Base Product NumberIRFHE4250
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package32-PQFN (6x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Boîtier
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MSL
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