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HEXFET®, StrongIRFET™
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N-Channel
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Note | - |
| Série | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 294W (Tc) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 279 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10034 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
Boîtier
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MSL
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