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IGBT, MOSFET (N-Channel)
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Tube
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Gate Drivers |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | - |
| Gate Type | IGBT, MOSFET (N-Channel) |
| Emballage | Tube |
| Type d'entrée | Inverting, Non-Inverting |
| État de la pièce | Obsolete |
| Channel Type | Synchronous |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Type de montage | Through Hole |
| Colis / Cas | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Tension - Alimentation | 10V ~ 20V |
| Number of Drivers | 2 |
| Numéro de produit de base | IRS2111 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Temps de montée/descente (Typique) | 75ns, 35ns |
| Paquet de dispositif du fournisseur | 8-PDIP |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 8.3V, 12.6V |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 290mA, 600mA |
Boîtier
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MSL
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