RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2En stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

IGN1011L70

RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2

Gain
22dB
Fréquence
1.03GHz ~ 1.09GHz
Emballage
Bulk
Technologie
GaN HEMT
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieRF FETs, MOSFETs
FabricantIntegra Technologies Inc.
Gain22dB
Série-
Fréquence1.03GHz ~ 1.09GHz
EmballageBulk
TechnologieGaN HEMT
État de la pièceActive
FabricantIntegra Technologies Inc.
Noise Figure-
Type de montageChassis Mount
Current - Test22 mA
Colis / CasPL32A2
Power - Output80W
Voltage - Test50 V
Tension - Nominale120 V
Évaluation actuelle (Ampères)-
Paquet de dispositif du fournisseurPL32A2
Boîtier
-
MSL
-

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