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HEXFET®
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| État de la pièce | Obsolete |
| Puissance - Max | 2W |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Configuration | N and P-Channel |
| Type de montage | Surface Mount |
| Colis / Cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Numéro de produit de base | AUIRF9952 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A |
Boîtier
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MSL
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