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HEXFET®
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| État de la pièce | Obsolete |
| Puissance - Max | 2.1W |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Colis / Cas | DirectFET™ Isometric MC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
| Numéro de produit de base | IRF9395 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 14A, 10V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | DIRECTFET™ MC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3241pF @ 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A |
Boîtier
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MSL
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