MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFNRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

Série
FASTIRFET™
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantInfineon Technologies
Note-
SérieFASTIRFET™
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
État de la pièceObsolete
Puissance - Max156W
FabricantInfineon Technologies
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas32-PowerWFQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
Numéro de produit de baseIRFHE4250
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur32-PQFN (6x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Boîtier
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MSL
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