IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGAEn stockRoHS / Conformité

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IS43DR16320E-25DBL

IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA

Emballage
Tray
Technologie
SDRAM - DDR2
Access Time
400 ps
Taille de la mémoire
512Mbit
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieMemory
FabricantISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Série-
EmballageTray
TechnologieSDRAM - DDR2
Access Time400 ps
Taille de la mémoire512Mbit
Type de mémoireVolatile
État de la pièceActive
Memory FormatDRAM
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas84-TFBGA
Clock Frequency400 MHz
Memory InterfaceParallel
Tension - Alimentation1.7V ~ 1.9V
Numéro de produit de baseIS43DR16320
Memory Organization32M x 16
DigiKey ProgrammableNot Verified
Température de fonctionnement0°C ~ 85°C (TC)
Paquet de dispositif du fournisseur84-TWBGA (8x12.5)
Write Cycle Time - Word, Page15ns
Boîtier
-
MSL
-

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