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Série
HiPerFET™, Ultra X
FET Type
N-Channel
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Tube
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | IXYS |
| Note | - |
| Série | HiPerFET™, Ultra X |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tube |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Numéro de produit de base | IXFT50 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 25A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | TO-268 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
Boîtier
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MSL
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