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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Bipolar RF Transistors |
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| Gain | 7dB |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| État de la pièce | Obsolete |
| Puissance - Max | 583W |
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Colis / Cas | 55AT |
| Transistor Type | NPN |
| Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
| Fréquence - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Paquet de dispositif du fournisseur | 55AT |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Boîtier
-
MSL
-