RoHS / ConformitéLes images sont fournies à titre indicatif
Gain
19.3dB
Fréquence
2.14GHz
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
LDMOS
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | RF FETs, MOSFETs |
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Gain | 19.3dB |
| Série | - |
| Fréquence | 2.14GHz |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | LDMOS |
| État de la pièce | Obsolete |
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Noise Figure | - |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Current - Test | 800 mA |
| Colis / Cas | NI-780S |
| Power - Output | 32W |
| Voltage - Test | 28 V |
| Tension - Nominale | 65 V |
| Numéro de produit de base | AFT21 |
| Évaluation actuelle (Ampères) | - |
| Paquet de dispositif du fournisseur | NI-780S |
Boîtier
-
MSL
-