RF MOSFET LDMOS 65V NI1230RoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

MRFX1K80H-230MHZ

RF MOSFET LDMOS 65V NI1230

Gain
25.1dB
Fréquence
1.8MHz ~ 400MHz
Emballage
Bulk
Technologie
LDMOS
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieRF FETs, MOSFETs
FabricantNXP Semiconductors
Gain25.1dB
Série-
Fréquence1.8MHz ~ 400MHz
EmballageBulk
TechnologieLDMOS
État de la pièceObsolete
FabricantNXP Semiconductors
Noise Figure-
ConfigurationDual
Type de montageChassis Mount
Current - Test1.5 A
Colis / CasSOT-979A
Power - Output1800W
Voltage - Test65 V
Tension - Nominale179 V
Évaluation actuelle (Ampères)100mA
Paquet de dispositif du fournisseurNI-1230-4H
Boîtier
-
MSL
-

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