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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
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Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single Bipolar Transistors |
| Fabricant | NXP Semiconductors |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| État de la pièce | Active |
| Puissance - Max | 325 mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Colis / Cas | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | PNP |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Fréquence - Transition | 170MHz |
| Paquet de dispositif du fournisseur | DFN1010D-3 |
| Saturation de Vce (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Boîtier
-
MSL
-