SA2T18H450W19SR6

RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

Gain
16.6dB
Frequency
1.805GHz ~ 1.88GHz
Packaging
Bulk
Technology
LDMOS
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

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Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieRF FETs, MOSFETs
FabricantNXP Semiconductors
Gain16.6dB
Series-
Frequency1.805GHz ~ 1.88GHz
PackagingBulk
TechnologyLDMOS
Part StatusObsolete
ManufacturerNXP Semiconductors
Noise Figure-
ConfigurationDual
Mounting TypeChassis Mount
Current - Test800 mA
Package / CaseNI-1230S-4S4S
Power - Output89W
Voltage - Test30 V
Voltage - Rated65 V
Current Rating (Amps)10µA
Supplier Device PackageNI-1230S-4S4S
Boîtier
-
MSL
-

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