SA2T18H450W19SR6

RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

Gain
16.6dB
Fréquence
1.805GHz ~ 1.88GHz
Emballage
Bulk
Technologie
LDMOS
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieRF FETs, MOSFETs
FabricantNXP Semiconductors
Gain16.6dB
Série-
Fréquence1.805GHz ~ 1.88GHz
EmballageBulk
TechnologieLDMOS
État de la pièceObsolete
FabricantNXP Semiconductors
Noise Figure-
ConfigurationDual
Type de montageChassis Mount
Current - Test800 mA
Colis / CasNI-1230S-4S4S
Power - Output89W
Voltage - Test30 V
Tension - Nominale65 V
Évaluation actuelle (Ampères)10µA
Paquet de dispositif du fournisseurNI-1230S-4S4S
Boîtier
-
MSL
-

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