Gain
19.2dB
Fréquence
1.03GHz ~ 1.09GHz
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
LDMOS
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | RF FETs, MOSFETs |
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Gain | 19.2dB |
| Série | - |
| Fréquence | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | LDMOS |
| État de la pièce | Active |
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Noise Figure | - |
| Configuration | Dual |
| Type de montage | Surface Mount |
| Current - Test | 100 mA |
| Colis / Cas | NI-780S-4L |
| Power - Output | 770W |
| Voltage - Test | 50 V |
| Tension - Nominale | 105 V |
| Numéro de produit de base | AFV10700 |
| Évaluation actuelle (Ampères) | 10µA |
| Paquet de dispositif du fournisseur | NI-780S-4L |
Boîtier
-
MSL
-