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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single Bipolar Transistors |
| Fabricant | onsemi |
| Série | - |
| Emballage | Bulk |
| État de la pièce | Obsolete |
| Puissance - Max | 625 mW |
| Type de montage | Through Hole |
| Colis / Cas | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Transistor Type | NPN |
| Numéro de produit de base | 2N5551 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Fréquence - Transition | 300MHz |
| Paquet de dispositif du fournisseur | TO-92 (TO-226) |
| Saturation de Vce (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
| Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Boîtier
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MSL
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