MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFNEn stockRoHS / Conformité

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NTTFS1D2N02P1E

MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN

FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+16V, -12V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
Fabricantonsemi
Note-
Série-
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+16V, -12V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 934µA
Numéro de produit de baseNTTFS1
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max)820mW (Ta), 52W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseur8-PQFN (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4040 pF @ 13 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 180A (Tc)
Boîtier
-
MSL
-

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