FET Type
N-Channel
Emballage
Tube
Vgs (Max)
+22V, -6V
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SiCFET (Silicon Carbide)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Note | - |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tube |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Type de montage | Through Hole |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| Numéro de produit de base | SCT2H12 |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | TO-3PFM |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
Boîtier
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MSL
-