MOSFET N-CH 650V 20A D2PAKEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

STB30N65M2AG

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

Note
Automotive
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantSTMicroelectronics
NoteAutomotive
Série-
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceLast Time Buy
Type de montageSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Colis / CasTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Numéro de produit de baseSTB30
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseurTO-263 (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Boîtier
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MSL
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