MOSFET N-CH 500V 11A DPAKRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

STD12NM50ND

MOSFET N-CH 500V 11A DPAK

Série
FDmesh™ II
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±25V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantSTMicroelectronics
Note-
SérieFDmesh™ II
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR)
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceObsolete
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / CasTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Numéro de produit de baseSTD12
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)100W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseurDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Boîtier
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MSL
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