N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5RoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

STO68N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantSTMicroelectronics
Note-
Série-
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max)240W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseurTOLL (HV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3528 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
Boîtier
-
MSL
-

Related Products