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STripFET™ II
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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
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Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| Grade | - |
| Series | STripFET™ II |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Mounting Type | Through Hole |
| Qualification | - |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Base Product Number | STP55 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 27.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
Boîtier
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MSL
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