Série
U-MOSIX-H
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Note | - |
| Série | U-MOSIX-H |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Numéro de produit de base | SSM6K513 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TA) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 4A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | 6-UDFNB (2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
Boîtier
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MSL
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