Série
U-MOSV-H
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Note | - |
| Série | U-MOSV-H |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Numéro de produit de base | TPC8038 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 6A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Paquet de dispositif du fournisseur | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150 pF @ 10 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Boîtier
-
MSL
-