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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
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Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Diode Arrays |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Emballage | Tube |
| Technologie | Schottky |
| État de la pièce | Obsolete |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Type de montage | Through Hole |
| Colis / Cas | TO-220-3 |
| Numéro de produit de base | MBR30 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Paquet de dispositif du fournisseur | TO-220-3 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 45 V |
| Tension - DC Inverse (Vr) (Max) | 45 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760 mV @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 15A |
Boîtier
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MSL
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