MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3En stockRoHS / Conformité

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SI2302CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Série
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±8V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantVishay Siliconix
Note-
SérieTrenchFET®
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±8V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / CasTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Numéro de produit de baseSI2302
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max)710mW (Ta)
Paquet de dispositif du fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Boîtier
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MSL
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