MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOPRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

SI6943BDQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP

Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Conforme RoHS

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Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantVishay Siliconix
SérieTrenchFET®
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
État de la pièceObsolete
Puissance - Max800mW
FabricantVishay Siliconix
Configuration2 P-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Numéro de produit de baseSI6943
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Paquet de dispositif du fournisseur8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Boîtier
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MSL
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