MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Les images sont fournies à titre indicatif

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Note
Automotive
Série
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

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Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantVishay Siliconix
NoteAutomotive
SérieTrenchFET®
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceObsolete
Type de montageSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Numéro de produit de baseSQ4850
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max)6.8W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Boîtier
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MSL
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