RF MOSFET GAN HEMT 28V DIEEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

WP28007025

RF MOSFET GAN HEMT 28V DIE

Gain
17dB
Fréquence
7GHz
Emballage
Box
Technologie
GaN HEMT
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
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Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieRF FETs, MOSFETs
FabricantWAVEPIA.,Co.Ltd
Gain17dB
Série-
Fréquence7GHz
EmballageBox
TechnologieGaN HEMT
État de la pièceActive
FabricantWAVEPIA.,Co.Ltd
Noise Figure-
Current - Test100 mA
Colis / CasDie
Power - Output25W
Voltage - Test28 V
Tension - Nominale28 V
Évaluation actuelle (Ampères)800mA
Paquet de dispositif du fournisseurDie
Boîtier
-
MSL
-

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