IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

W97AH6NBVA1I

IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA

Emballage
Tray
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Taille de la mémoire
1Gbit
Type de mémoire
Volatile
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieMemory
FabricantWinbond Electronics
Série-
EmballageTray
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Taille de la mémoire1Gbit
Type de mémoireVolatile
État de la pièceActive
Memory FormatDRAM
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas134-VFBGA
Clock Frequency533 MHz
Memory InterfaceHSUL_12
Tension - Alimentation1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Numéro de produit de baseW97AH6
Memory Organization64M x 16
DigiKey ProgrammableNot Verified
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TC)
Paquet de dispositif du fournisseur134-VFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page15ns
Boîtier
-
MSL
-

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