SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4RoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

C3M0016120K

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Série
C3M™
FET Type
N-Channel
Emballage
Tube
Vgs (Max)
+15V, -4V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage professionnel

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantWolfspeed, Inc.
Note-
SérieC3M™
FET TypeN-Channel
EmballageTube
Vgs (Max)+15V, -4V
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Type de montageThrough Hole
Qualification-
Colis / CasTO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 23mA
Numéro de produit de baseC3M0016120
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max)556W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseurTO-247-4L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs211 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6085 pF @ 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C115A (Tc)
Boîtier
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MSL
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