MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULEEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

CAB530M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE

Emballage
Tray
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
État de la pièce
Active
Fabricant
Wolfspeed, Inc.
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantWolfspeed, Inc.
Série-
EmballageTray
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max-
FabricantWolfspeed, Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageChassis Mount
Colis / CasModule
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 140mA
Numéro de produit de baseCAB530
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.55mOhm @ 530A, 15V
Paquet de dispositif du fournisseurModule
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1362nC @ 4V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds39600pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C530A
Boîtier
-
MSL
-

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